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臺積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)
- 臺積電OIP(開放創(chuàng)新平臺)于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開,除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外,更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新,并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn),幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑,與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作,推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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鎧俠公布藍(lán)圖:2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日,據(jù)媒體報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖,目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來,3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度,預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示,公司計(jì)劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%
- 6月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過一半(即561個(gè))為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析,幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具,能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
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邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營運(yùn)效率提升,仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離,速度更快,點(diǎn)云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí),我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中,內(nèi)存帶寬問題越來越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下,HBM 內(nèi)存很火,它相對于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND,1000層競爭加速!
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM(內(nèi)存)技術(shù)來看,業(yè)界認(rèn)為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成,其中,晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d xpoint的理解,并與今后在此搜索3d xpoint的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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